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SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目

2020-11-22 13:51:51 东莞

SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目导读:SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目 项目信息 备案项目编号 2020-441900-39-03-100116 项目名称 SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目 项目所在地 东莞市松山湖国际创新创业社区G2栋 项目总投资 9000.0万元 项目规模及内容 项...

SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目规模及项目内容详情

项目信息
备案项目编号2020-441900-39-03-100116
项目名称SiC芯片制造特色工艺示范性创新平台项目
项目所在地东莞市松山湖国际创新创业社区G2栋
项目总投资9000.0万元
项目规模及内容项目占地面积4700平方米,建筑面积4000平方米,计划将现有6英寸中试线扩建为8英寸/6英寸兼容SiC芯片特色制造工艺示范性创新平台。计划购置8英寸高温离子注入机、高温氧化炉、高温氧化炉、步进式光刻机、SiC快速外延炉等设备,主要产品为SiC MOSFET和SiC IGBT,设计年产能2万片SiC晶圆片,产值5亿元。
建设单位松山湖材料实验室
备案机关东莞市松山湖产业发展局
备案申报日期2020年11月06日
复核通过日期2020年11月06日
项目起止年限 2021年01月01日 - 2023年12月01日
项目当前状态办结(通过)
来源:广东省投资项目在线审批监管平台

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